原子層沉積前驅體往往都是金屬有機化合物，合適的前驅體種類較少而且價格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；
隨著原子層沉積技術與其他先進技術不斷融合以及人們對原子層沉積設備的不斷改進，諸如“等離子體增強原子層沉積技術”、“空間式原子層沉積技術”、“流化床原子層沉積技術”等新型原子層沉積技術逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術所面臨的諸多難題。
一套成熟的空間式原子層沉積設備需保證每小時超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設備中沉積速率不再受限于單個循環(huán)步驟的累計時間，僅取決于襯底或前驅體噴嘴在兩個半反應區(qū)間移動所需的時間，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量。
目前，等離子體增強原子層沉積不僅能夠在更溫和條件下沉積傳統(tǒng)熱原子層沉積能夠沉積的一些金屬以及氧化物等薄膜材料，還可以沉積通常采用CVD在高溫條件下才能沉積的石墨烯等新興材料。
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更新時間：2020-07-03 
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